Dual 60V asimetri mosfet berkelayakan automotif

Disebut SQJ264EP dan dirancang untuk bekalan kuasa mod suis dc-dc automotif, untuk meningkatkan kecekapan mosfet tidak simetri dan juga pakejnya.

• Mosfet 1
  20mΩ pada rintangan (10V)
  Caj pintu khas 9.2nC
  20A maksimum (25 ° C, 15A 125 ° C)
  Maksimum 27W
• Mosfet 2
  8.6mΩ pada rintangan (10V)
  Caj pintu khas 19.2nC
  54A maksimum (25 ° C, 31A 125 ° C)
  Maksimum 48W

"Kombinasi ukuran die yang dioptimumkan antara mosfet kawalan [sisi tinggi] dan [sisi rendah] memberikan kecekapan yang lebih tinggi daripada peranti dual simetri dalam penukaran kuasa dengan kitaran tugas di bawah 50%," kata syarikat itu. "Tanpa simpul suis yang disambungkan secara dalaman, SQJ264EP menawarkan fleksibiliti kepada pereka untuk mengkonfigurasi transistor ke topologi yang berbeza, termasuk penukar segerak atau penukar dc-dc peningkatan segerak."

Menurut lembaran data, pengoptimuman adalah untuk penggunaan wang segerak.

Operasi sehingga 175 ° C.

Papan sayap gull memungkinkan aliran solder yang lebih baik di bawah pinnya, memudahkan pemeriksaan optik automatik (AOI) dan, menurut Vishay, meningkatkan kebolehpercayaan tahap papan yang lebih tinggi berbanding dengan pakej tunggal dan dua QFN.

Peranti ini diuji 100 Rg dan UIS, patuh RoHS, dan bebas halogen.

Aplikasi diramalkan dalam sistem infotainment, paparan, lampu LED dan e-basikal.

Halaman produk ada di sini.